方峰先生(独立董事),中国国籍,无境外居留权,出生于1965年2月,中共党员,教授级高级工程师,工学硕士学位。1990-1998年在北京有色金属研究总院401室、半导体材料国家工程研究中心历任技术员、工程师。高级工程师,参加了“2-3微粉IC用∮125mm硅单晶(片)研制”、“∮125mmN(100)硅单晶及抛光片”等国家攻关项目,分别获得了“中国有色金属工业总公司”省部级科技进步一等奖和“国家有色金属工业局”科技进步二等奖。1999年至今在国泰半导体材料有限公司任技术总监,专注于大直径电子级单晶硅的研究,特别是N型重掺单晶的生长,取得“一种用于拉硅单晶制备中的掺杂方法及装置”(ZL01136694.X,2007年第十届专利金奖)等多项发明,形成重掺红磷(RP)、砷(As)、锑(Sb)完备的单晶生产体系。2005年“6英寸重掺砷硅单晶及抛光片”项目获得北京市科学技术将壹等奖;“重掺砷硅单晶及抛光片”获得国家科学技术进步奖的二等奖。现供职于国泰半导体材料有限公司,任技术总监。