张文峰的回答：

个人感觉还是以本振泄漏来的影响最大，处理起来也很困难。造成直流偏差的根本原因也是本振泄漏。

吕婉的回答：

个人感觉还是以本振泄漏来的影响最大，处理起来也很困难。造成直流偏差的根本原因也是本振泄漏。

陈瑞峰的回答：

1)本振泄漏(LO Leakage)零中频结构的本振频率与信号频率相同,如果混频器的本振口与射频口之间的隔离性能不好,本振信号就很容易从混频器的射频口输出,再通过低噪声放大器泄漏到天线,辐射到空间,形成对邻道的干扰;2)偶次失真(Even-Order Distortion两个高频干扰经过含有偶次失真的LNA将产生一个低频干扰信号。若混频器是理想的,此信号与本振信号coswLOt混频后,将被搬移到高频,对接收机没有影响。然而实际的混频器并非理想, RF口与IF口的隔离有限,干扰信号将由混频器的RF口直通进入IF口,对基带信号造成干扰。3)直流偏差(DC Offset)直流偏差是零中频方案特有的一种干扰,它是由自混频(Self-Mixing)引起的。泄漏的本振信号可以分别从低噪放的输出端、滤波器的输出端及天线端反射回来,或泄漏的信号由天线接收下来,进入混频器的射频口。它和本振口进入的本振信号相混频,差拍频率为零,即为直流,如图6(a)所示。同样,进入低噪放的强干扰信号也会由于混频器的各端口隔离性能不好而漏入本振口,反过来和射频口来的强干扰相混频,差频为直流;这些直流信号将叠加在基带信号上,并对基带信号构成干扰,被称为直流偏差。直流偏差往往比射频前端的噪声还要大,使信噪比变差,同时大的直流偏差可能使混频器后的各级放大器饱和,无法放大有用信号。4)闪烁噪声(Flicker Noise)有源器件内的闪烁噪声又称为噪声,其大小随着频率的降低而增加,主要集中在低频段。与双极性晶体管相比,场效应晶体管的噪声要大得多。闪烁噪声对搬移到零中频的基带信号产生干扰,降低信噪比。通常零中频接收机的大部分增益放在基带级,射频前端部分的低噪放与混频器的典型增益大约为30 dB。因此有用信号经下变频后的幅度仅为几十微伏,噪声的影响十分严重。因此,零中频结构中的混频器不仅设计成有一定的增益,而且设计时应尽量减小混频器的噪声。

张锐的回答：

各有优缺点，从成本上考虑ZIF零中频较低，BOM大大地减少，而且容易集成，所以现在手持设备的芯片基本上是采用零中频的架构。超外差架构需要SAW滤波器，成本高，而且占面积，优点是可以优化得很好。零中频的问题是LO泄露，DC Offset，flicker noise噪声和IP2(AM Suppression)问题，设计难度大。

代力的回答：

1，LO和RF频率相同，LO的频率可以直接泄漏到入射信号端，形成很强的LO泄漏干扰2，由于基带信号在零频附近，由于偶次失真项引起的干扰开始影响接收机的性能，如偶次项失真产生的DC部分会影响电路的直流工作点，形成DC offset，另外一个偶次项失真就是IP23，基带附近的Flicker Noise替代了原来的高斯白噪声，形成基底噪声，影响接收机的信躁比4，直接在RF进行IQ分离，会出现IQ通路很难匹配；5，基带滤波器通常采用有源滤波器实现，在IC Layout中占很大面积，而且Noise Figure很大只要克服上述主要缺点，零中频和低中频还是一种趋势