高先森mrg-gao.taobao.com的回答：这是极其重要的认识，始终牢记，确保电源路由的目的只是补充充电 在旁路电容，旁路电容，而应该提供以上所有电流振荡频率。 挡配电痕迹是使用这些措施（参见图9）射频： ?使用铁氧体磁珠和一个旁路电容（0.1 MF或0.01中频），把里面的铁氧体磁珠的电容器。地点 以外的铁氧体磁珠1000 - pF的电容，创造一个PI过滤器。此电容的接地连接应 是microground。但是，如果有大量的噪音在这一点上，电容器可以放回夫妇噪音 的+ V线。 ?铁氧体磁珠仅在使用+ V键，而不是在地上。如果通孔磁珠被使用，安装与 暴露引线连接到+五 ?应用3:1长度与宽度的痕迹绕过循环规则，以尽量减少这些高频阻抗 路径。 ?使绕过循环尽可能小的面积??和长度。当追平振荡器的旁路电容 或+ V电源，尽量延长，而不是运行跟踪微机地面。尝试在运行任何追溯 （或）任何回路，减少其辐射区域时，从板上面看其他分部。 ?可以接受，有利于使用四层板铁氧体磁珠和相同绕过值。 1000 pF的 电容器可能并不需要在四个层次的板，但应在最初的设计绘制的，以后如果删除 屏幕室测试表明，它是没有必要的。 高先森mrg-gao.taobao.com的回答：这是极其重要的认识，始终牢记，确保电源路由的目的只是补充充电 在旁路电容，旁路电容，而应该提供以上所有电流振荡频率。 挡配电痕迹是使用这些措施（参见图9）射频： ?使用铁氧体磁珠和一个旁路电容（0.1 MF或0.01中频），把里面的铁氧体磁珠的电容器。地点 以外的铁氧体磁珠1000 - pF的电容，创造一个PI过滤器。此电容的接地连接应 是microground。但是，如果有大量的噪音在这一点上，电容器可以放回夫妇噪音 的+ V线。 ?铁氧体磁珠仅在使用+ V键，而不是在地上。如果通孔磁珠被使用，安装与 暴露引线连接到+五 ?应用3:1长度与宽度的痕迹绕过循环规则，以尽量减少这些高频阻抗 路径。 ?使绕过循环尽可能小的面积??和长度。当追平振荡器的旁路电容 或+ V电源，尽量延长，而不是运行跟踪微机地面。尝试在运行任何追溯 （或）任何回路，减少其辐射区域时，从板上面看其他分部。 ?可以接受，有利于使用四层板铁氧体磁珠和相同绕过值。 1000 pF的 电容器可能并不需要在四个层次的板，但应在最初的设计绘制的，以后如果删除 屏幕室测试表明，它是没有必要的。 高先森mrg-gao.taobao.com的回答：这是极其重要的认识，始终牢记，确保电源路由的目的只是补充充电 在旁路电容，旁路电容，而应该提供以上所有电流振荡频率。 挡配电痕迹是使用这些措施（参见图9）射频： ?使用铁氧体磁珠和一个旁路电容（0.1 MF或0.01中频），把里面的铁氧体磁珠的电容器。地点 以外的铁氧体磁珠1000 - pF的电容，创造一个PI过滤器。此电容的接地连接应 是microground。但是，如果有大量的噪音在这一点上，电容器可以放回夫妇噪音 的+ V线。 ?铁氧体磁珠仅在使用+ V键，而不是在地上。如果通孔磁珠被使用，安装与 暴露引线连接到+五 ?应用3:1长度与宽度的痕迹绕过循环规则，以尽量减少这些高频阻抗 路径。 ?使绕过循环尽可能小的面积??和长度。当追平振荡器的旁路电容 或+ V电源，尽量延长，而不是运行跟踪微机地面。尝试在运行任何追溯 （或）任何回路，减少其辐射区域时，从板上面看其他分部。 ?可以接受，有利于使用四层板铁氧体磁珠和相同绕过值。 1000 pF的 电容器可能并不需要在四个层次的板，但应在最初的设计绘制的，以后如果删除 屏幕室测试表明，它是没有必要的。 GakWon的回答：绕过+ V和地面之间很关键,因为在微机的意图是为电容供应 目前用于设备用于交换。如果是当前中无法绕开的循环,因为太多的电感, 物理定律告诉我们当前应该来最低的阻抗,然后从导线连接 电力供应。权力的分布电容的源路由成为更高的频率。因此,铁素体 |
