赤崎勇（あかさき いさむ），日本半导体科学家，1929年1月30日出生于日本，2014年10月7日，与天野浩、中村修二共同获得2014年诺贝尔物理学奖。 人物履历1929年1月30日出生于鹿儿岛县知览町； 1946年鹿儿岛县立第二鹿儿岛初中毕业； 1952年毕业于京都大学理学部； 1959年-1963年名古屋大学助手，讲师，助教授一职； 1964年在名古屋大学获得博士学位； 1964年就任松下电器产业东京研究所基础研究室长； 1981年起任名古屋大学教授； 1992年起任日本名城大学教授。 研究领域赤崎勇曾在神户工业公司（现富士通公司）和松下电器产业公司从事科研工作 赤崎勇在氮化镓研究中，首次实现了氮化镓的PN结，为利用氮化镓材料制造蓝色发光二极管奠定了基础 低温沉积缓冲层技术的高质量的制备氮化镓结晶成功（1986年） p型氮化镓的结晶化成功，氮化镓的pn结的青色发光二极管（1989年）实现 从氮化镓的室温中紫外光诱导成功释放（1990年） 氮化镓/GalnN量子井电流注入诱导放出的观测成功（1995年） 主要著作电气和电子材料（1985年9月，朝仓书店） III-V族化合物半导体（1994年5月，培风馆） 青色发光设备的魅力―广泛的应用领域打开（1997年4月，工业调查会） III族氮化物半导体（1999年12月，培风馆） 诺贝尔奖2014年10月7日，赤崎勇、天野浩和中村修二因发现新型节能光源而获得2014年度诺贝尔物理学奖，他们将平分800万瑞典克朗（约合111万美元）的奖金。 获奖感言 赤崎勇在获奖后举行的记者会上首先感谢他的研究团队，称“我无法一个人完成这项成果”。 提及成功的秘诀，赤崎勇强调了研究团队的执着精神。他坦言，不少人之前对他说，他的研究在20世纪结束时也不会取得成果，“但我决没有这么认为……我只是一直在做我希望做的事”。 荣誉记录1989年日本晶体生长学会论文奖 1991年中日文化奖 1994年光电子会议特别奖 1994年日本学会创立20周年纪念晶体生长技术贡献奖 1995年化合物半导体国际研讨会奖 1995年HeinrichWelkerGoldMedal 1996年IEEE激光和电子光学协会的工程成就奖 1996年紫绶奖章 1998年井上春成奖 1998年劳戴斯奖 1998年应用物理学会会志奖 1998年IEEE杰克A.莫尔顿奖 1998年英国排名奖 1999年固态科学技术奖 2000年朝日奖 2000年东丽科学技术奖 2002年应用物理学会成就奖 2002年武田奖 2002年藤原奖 2002年三等旭日中绶章勋 2003年日本学术会议会长奖 2003年SSDM奖 2004年“文化功劳者 2009年11月10日京都奖（尖端技术领域） 2011年IEEE爱迪生奖牌 2011年科学技术振兴机构知识产权特别贡献奖 2011年文化勋章 2014年日本学士院奖·恩赐奖 2014年诺贝尔物理学奖 |
