清华大学本科,美国密歇根理工大学博士,2001年-2011年任职美国IR公司,主持过多个高压功率半导体器件平台的开发,包括IGBT,SuperJunction MOSFET, HV MOSFET,FRED,FredFET等;2003年研发成功IR公司第一代SuperJunction MOSFET;2006年推出IR公司第六代沟槽栅场截止型超薄IGBT,并扩展到不同的应用领域的多个子平台,创造每年超过1亿美元的销售;2011年中国科学院微电子研究所,研究员,中科院“百人计划”学者,IGBT团队首席技术专家,承担国家02重大科技专项及省部级IGBT相关项目,主持600V-6500V IGBT研发应用;2012-2014年兼任江苏中科君芯科技有限公司副总经理、总工程师,负责600V-1700V产品开发及应用支持,多款产品性能指标达到国际先进水平。 |