杨洪强先生,1974年生,中国国籍,无境外居留权,电子科技大学微电子专业博士,承担了多项省科技厅、国家863等研究课题,对新型功率器件结构COOLMOS(美国、中国专利)/VLD(中国专利)等进行理论研究和专利申报,对ElectricalBallast/ActivePowerFactorCorrection/变频调速等SmartPowerIC进行产品开发;在成都振芯科技股份有限公司进行博士后研究期间,主要从事射频/低频模拟电路进行研究。现任成都振芯科技股份有限公司副总经理;成都国翼电子技术有限公司董事长、总经理。 |
