中村修二（Shuji Nakamur），电子工程学家，1954年5月22日出生于日本，2014年10月7日，与天野浩、赤崎勇共同获得2014年诺贝尔物理学奖。 人物履历1954年，出生于日本日本爱媛县伊方町； 1965年，爱媛县小学转入兵库县尼崎市·尼崎市立桩濑小学； 1967年，尼崎市立桩濑小学毕业； 1973年，爱媛县立大洲高等学校普通科毕业； 1977年，德岛大学工学院电子工程学士毕业； 1979年，德岛大学电子工程硕士学位毕业， 同年进入日亚化学(Nichia)； 1987年，佛罗里达大学电子工学部留学（1988年9月）； 1988 年，日亚化学资助中村进入美国佛罗里达州立大学研究金属有机物化学气相沉积 (MOCVD)； 1989年，中村教授开始研究基于三族氮材料的蓝光LED； 1991年，获得氮化镓成长的关键技术； 1993年，高亮度青色发光二极管的开发，开发了蓝色发光二极管--被称为世纪发明、诺贝尔奖级别的发明--该项技术曾被认为20世纪不可能的任务--并商品化； 1994年，日本德岛大学“InGaN高亮度LED青色関研究”获得电气工程博士学位； 1995年，开始研发蓝色激光二极管，InGaN/氮化镓青色半导体激光的室温脉冲振荡实现； 1997年，开发出紫外LED； 1999年12月，离开日亚公司； 2000年，任美国加利福尼亚大学圣巴巴拉分校?材料物性工学部教授一职，同时以每周一天的频率指导cree； 2002年，任信州大学客座教授一职。与赤崎勇、天野浩同时研究“青色发光半导体设备的开发”中； 2005年，从水容易取出氢原理开发成功； 2006年，爱媛大学客座教授一职； 2006年5月24日，中村修二博士与加州大学巴巴拉分校(UCSB)研究小组制造出第一款无极性(non-polar)和半极性(semi-polar)GaN 衬底LED； 2007年1月，世界首次的，无极性青紫色半导体激光开发了发表。 科研成就中村修二教授的创新使得LED生产商能够生产三原色（红、绿和蓝）LED，从而使实现1600万色成为可能。或许最为重要的是，LED行业利用这种新技术来开始白色LED（半导体生态光源）的商业化生产。 1989年，中村教授开始研究基于三族氮材料的蓝光LED。由于在蓝光LED方面的杰出成就，中村教授获得了一系列荣誉，包括仁科纪念奖（1996），IEEE Jack A.莫顿奖，英国顶级科学奖（1998）；富兰克林奖章（2002），2003年中村教授入选美国国家工程院（NAE）院士，2006年获得千禧技术奖。 2000年，中村教授加入加州大学圣芭芭拉分校。他获得100多项专利，并发表了200多篇论文。 诺贝尔奖2014年10月7日，赤崎勇、天野浩和中村修二因发现新型节能光源而获得2014年度诺贝尔物理学奖，他们将平分800万瑞典克朗（约合111万美元）的奖金。 获奖感言 身在美国的中村修二接到获奖电话后，惊喜之余连道“难以置信”。他随后发表声明，称对获奖感到荣幸，“看到我们的LED照明梦想成真非常令人满意……希望节能的LED灯有助于减少能源消耗，降低全球范围的照明成本”。 荣誉记录1996年，仁科纪念奖； 1997年，大河内纪念奖； 2001年，获日本朝日奖； 2002年，获得美国本杰明·富兰克林金奖； 2002年，武田奖； 2006年，获芬兰千禧技术大奖； 2008年，阿斯图利亚斯皇太子奖； 2011年，第63届艾美奖技术开发部门获奖； 2014年，诺贝尔物理学奖。 |
